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硅热蒸发法制备SiC纳米线及其结构表征 吴玲玲;吴仁兵;杨光义;陈建军;翟蕊;林晶;潘颐 【期刊名称】《浙江大学学报（工学版）》 【年(卷),期】2008(042)003 【摘 要】采用简单热蒸发法使硅蒸气和碳纳米管反应生成了碳化硅纳米线.反应产物首先经X射线衍射(XRD)确定为3C-SiC.再用场发射扫描电镜(FESEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)等进行形貌和结构研究,发现3C-SiC纳米线部分呈直线六棱柱形状,大多为3C-SiC单晶,其[111]方向与纳米线长度方向一致,间或有折线,弯曲和螺旋形.在这些结果的基础上,提出3C-SiC纳米线形核生长的气液固(VLS)机制:硅蒸气(V)溶于碳纳米管端部残留金属催化剂液滴(L),与碳纳米管反应(S),生成3C-SiC晶核并沿碳纳米管长度方向生长. 【总页数】5页(P485-488,533) 【作 者】吴玲玲;吴仁兵;杨光义;陈建军;翟蕊;林晶;潘颐 【作者单位】浙江大学,材料科学与工程学系,浙江,杭州,310027;浙江大学,材料科学与工程学系,浙江,杭州,310027;浙江大学,材料科学与工程学系,浙江,杭州,310027;浙江大学,材料科学与工程学系,浙江,杭州,310027;浙江大学,材料科学与工程学系,浙江,杭州,310027;浙江大学,材料科学与工程学系,浙江,杭州,310027;浙江大学,材料科学与工程学系,浙江,杭州,310027 【正文语种】中 文 【中图分类】TN304.05 【相关文献】 1.利用磁控溅射及热蒸发法制备SnO2纳米线及结构表征 [J], 张晓森;李玉国;翟冠楠;王宇;方香 2.C/C复合材料表面无催化剂CVD制备SiC纳米线的结构表征 [J], 葛毅成;刘云启;武帅;吴皇;毛佩林;易茂中 3.碳热还原法制备SiC纳米线及其结构表征 [J], 朱小燕;李培刚;王顺利;刘仁娟;陈建军;唐为华 4.氧化锌纳米线耦合硅金字塔微纳复合结构的制备及其自清洁特性研究 [J], 吴以治;许小亮 5.C/C复合材料表面无催化剂CVD制备SiC纳米线的结构表征 [J], 葛毅成;刘云启;武帅;吴皇;毛佩林;易茂中; 因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买 本文来源：https://www.dywdw.cn/12b70f113269a45177232f60ddccda38366be173.html
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2023-04-13
